目录
- 外观一览
- 基准性能测试
- 应用模拟测试
- SANDISK仪表板简介
- 最后
如今的3A大作体积越来越大，超百GB的也不鲜见，同时，高速加载和无卡顿的游戏体验，给PC主机的存储带来容量和性能的双重压力，PCIe5.0 SSD也和Intel酷睿Ultra 200S/AMD锐龙9000系列处理器、RTX 50系显卡一起成为游戏电竞的高能装备，例如闪迪全面焕新的SANDISK Optimus GX PRO 8100 NVMe SSD。
在前不久，闪迪（Sandisk）官宣全新的SANDISK Optimus闪迪奥丁马仕系列，对旗下的内置SSD进行全面换新，旨在让玩家轻松识别产品的性能序列，其中SANDISK Optimus GX PRO系列是主打旗舰之作，而SANDISK Optimus GX PRO 8100 NVMe SSD自然就是旗舰中的旗舰。该产品搭载了第8 代SANDISK BiCS TLC 3D CBA NAND，容量高达8TB，而且有着出众的能效比，平均功耗只有7.5W左右，并为玩家提供了无散热片版和搭载散热片版可选。
我们先简单浏览一下今天评测的这款产品亮点：
外观一览
全面焕新的SANDISK Optimus GX PRO 8100 NVMe SSD包装采用全新的家族视觉语言，其灵感源自闪迪创新基因与标志性品牌形象。整体采用纯黑底色搭配闪电图案诠释其旗舰产品的定位，左上方是“SANDISK Optimus GX PRO”产品系列，右上角的红色标签标注了产品的容量，中部是产品的定妆照，右下方则是白色产品型号。
SANDISK Optimus GX PRO 8100 NVMe SSD采用标准的2280长度规格的黑色PCB，正面产品标签设计也全面焕新，尤其是右侧的“SANDISK Optimus GX PRO”系列格外显眼，左边标注了产品的容量、SN码等信息。
PCB采用单面设计，背面的丝印了各种认证信息，以及闪迪Sandisk最新品牌logo。
移去正面的标签，可见采用了1颗主控芯片+1颗DRAM缓存芯片+两颗NAND FLASH芯片的布局，主控和DRAM缓存芯片采用点胶处理，增加稳固性。
主控芯片为闪迪定制版的SMI SM2508，也是当下高端PCIe5.0 SSD常用的主控，支持PCIe 5.0×4和NVMe 2.0，拥有四个R8核心，采用八闪存通道设计，接口速率3200MT/s，支持DDR4/LPDDR4独立缓存。
核心元件NAND芯片为闪迪与铠侠共同研发的218层BiCS8 3D TLC，编号为025255 1T00，单颗容量1TB，先进的CBA NAND技术大幅缩短走线长度，有效提升随机性能，与上代的BiCS6相比，存储密度相比上代的BiCS6提升了50%。
基准性能测试
基准测试可以直观展现固态硬盘的理论性能，先放上我们本次的测试平台。
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